在“大众创业、万众创新”的时代浪潮持续推进背景下，高校正不断成为科技创新与青年创业的重要策源地。近日，广西大学一支平均年龄仅二十余岁的青年科研团队，凭借在低损耗慢光光芯片领域的创新突破，引发广泛关注。团队打造的“极光芯界”项目，围绕未来光通信与光计算核心需求，成功提出新型慢光调控机制，为国产高性能光芯片发展提供了新的技术路径。

　　聚焦国家需求 锁定行业关键难题

　　随着人工智能、大模型训练、数据中心以及云计算产业高速发展，全球算力需求正呈指数级增长。传统电子芯片在传输速度、功耗和带宽方面逐渐逼近物理极限，如何实现更高速、更低功耗的信息传输，成为国际科技竞争的重要方向。

　　在长期科研实践中，“极光芯界”团队敏锐地注意到，光芯片虽然具备高速、低延迟等天然优势，但其中关键的“慢光”技术却长期面临高损耗、低品质因子以及难以芯片化集成等瓶颈问题。所谓“慢光”，并非真正让光停止，而是通过特殊结构设计降低光的传播速度，从而增强光与物质之间的相互作用。这项技术在高速光通信、片上光互连、光计算、生化检测以及智能传感等领域具有重要应用价值。

　　然而，传统慢光方案普遍依赖局域共振耦合机制，存在光能量泄漏严重、稳定性不足等问题，长期制约产业化应用。面对这一行业难题，这支青年团队决定向慢光核心技术发起挑战。

　　三年深耕 实现核心机制突破

　　科研创新从来不是一蹴而就。从理论分析到结构设计，从电磁场仿真到实验验证，“极光芯界”团队历经数年持续攻关，在导师指导和学校科研平台支持下，逐步建立完整技术体系。

　　在研究过程中，团队成员围绕超构表面、纳米光子以及晶格共振等方向展开大量实验与建模工作。为了寻找更加稳定、低损耗的慢光方案，团队反复优化纳米结构参数，对不同光场耦合模式进行数百次仿真分析。

　　最终，团队创新性提出“晶格共振—晶格共振耦合类EIT机制”，首次利用两种晶格共振之间的相干干涉，实现低损耗慢光窗口构建。相比传统局域共振方案，该机制在降低辐射损耗和提升稳定性方面具有明显优势。

　　与此同时，团队进一步引入连续域束缚态（BIC）增强机制，通过抑制光场泄漏，使光能量能够在纳米结构内部停留更长时间，从而实现更高品质因子与更优慢光性能。

图1：校企联合实验室研发场景

　　成果落地 展现国产光芯片新潜力

　　经过长期技术积累，“极光芯界”团队成功设计出基于硅纳米柱阵列的慢光结构，实现了10000倍以上的光速减慢效果，并达到2750的超高品质因子，在相关性能指标上实现重要突破。

　　更重要的是，该项目采用硅基结构设计，可兼容现有CMOS工艺，与当前主流芯片制造流程具备良好适配性，为未来产业化应用奠定了重要基础。

　　目前，项目已完成理论模型建立、电磁场仿真以及部分实验验证，并申请多项国家发明专利。团队还积极推进与产业链企业的联合测试与技术交流，希望进一步推动芯片流片验证和产业落地。

　　业内专家表示，随着人工智能和高速算力需求持续增长，光芯片产业正迎来重要发展机遇，而低损耗慢光技术则是未来高性能光芯片的重要方向之一。

　　从实验室里的光场调控研究，到未来高速光通信系统中的核心器件，“极光芯界”团队正以青年科研力量不断探索国产光芯片的新未来，也展现出新时代青年在科技创新道路上的责任与担当。